PECVD管式爐

pecvd管式爐

PECVD管式爐，等離子體增強(qiáng)化學(xué)汽相沉積管式爐

PECVD 系統(tǒng)的設(shè)計(jì)是為了降低傳統(tǒng)化學(xué)氣相沉積的反應(yīng)溫度。在傳統(tǒng)化學(xué)氣相沉積前面安裝射頻感應(yīng)裝置，電離反應(yīng)氣體，產(chǎn)生等離子體。等離子體的高活性是由于等離子體的高活性加速了反應(yīng)的進(jìn)行。這個(gè)系統(tǒng)叫做 PECVD。

該型號(hào)是博納熱最新產(chǎn)品，綜合了大多數(shù) PECVD 爐系統(tǒng)的優(yōu)點(diǎn)，在 PECVD 爐系統(tǒng)前增加了預(yù)熱區(qū)。試驗(yàn)表明，沉積速度快，膜層質(zhì)量好，孔洞少，不開裂。配備AISO 全自動(dòng)智能控制系統(tǒng)，操作方便，功能強(qiáng)大。

PECVD 爐的應(yīng)用范圍很廣: 金屬膜、陶瓷膜、復(fù)合膜、各種膜的連續(xù)生長。易增加功能，可擴(kuò)展等離子清洗蝕刻等功能。

PECVD管式爐特點(diǎn)

  • 高薄膜沉積速率: 采用射頻輝光技術(shù)，大大提高了薄膜的沉積速率，沉積速率可達(dá)1000s.
  • 高面積均勻性: 先進(jìn)的多點(diǎn)射頻送料技術(shù)、特殊氣路分布、加熱技術(shù)等，使薄膜均勻性指數(shù)達(dá)到8%.
  • 高濃度: 使用先進(jìn)的設(shè)計(jì)概念的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，一個(gè)沉積基板之間的偏差小于2%.
  • 高過程穩(wěn)定性: 高度穩(wěn)定的設(shè)備確保了連續(xù)和穩(wěn)定的過程。

 

PECVD管式爐標(biāo)準(zhǔn)配件

  • 插管4支
  • 爐管1根
  • 真空泵1件
  • 真空密封法蘭2套
  • 真空計(jì)1件
  • 氣體輸送和真空泵
  • 射頻等離子體設(shè)備

可選配件

  • 快卸法蘭，三通法蘭
  • 7英寸高清觸摸屏

PECVD管式爐

 

PECVD管式爐技術(shù)規(guī)格

一、技術(shù)參數(shù)
型號(hào)BR-PECVD-500A
加熱長度和恒溫區(qū)長度440mm, 200mm
爐管尺寸Ф100x1650mm （爐管直徑可根據(jù)實(shí)際需要定制）
最高工作溫度1200 oC? (<1小時(shí))
長期工作溫度≤1100℃
電壓及額定功率單相，220V，50Hz
控溫方式

 

?51段可編程控溫，PID參數(shù)自整定，

?操作界面為10”工控電腦，內(nèi)置PLC控制程序，

?可將溫控系統(tǒng)、滑軌爐滑動(dòng)（時(shí)間和距離）設(shè)定為程序控制。

控溫精度±?1 oC
溫度均勻度±?5 oC
加熱速率≦20 oC /分鐘
熱電偶K型 （熱電偶保護(hù)管為純度 99.7%的剛玉管）
加熱元件HRE電阻絲
真空度工作真空度10-2 Pa (冷態(tài)及保溫)

極限真空度10-3 Pa (極限真空度）

爐膛材料氧化鋁、高溫纖維制品
二、射頻電源
信號(hào)頻率13.56 MHz±0.005%
功率輸出范圍500W
最大反射功率500W
射頻輸出接口50 Ω, N-type, female
功率穩(wěn)定度±0.1%
諧波分量≤-50dbc
供電電壓單相交流（187V-253V） 頻率50/60HZ
整機(jī)效率>=70%
功率因素>=90%
冷卻方式強(qiáng)制風(fēng)冷
三、三路質(zhì)子流量控制系統(tǒng)
外形尺寸600x600x650mm
連接頭類型雙卡套不銹鋼接頭
標(biāo)準(zhǔn)量程（N2)100sccm，100sccm、200sccm；200sccm

（可根據(jù)用戶要求定制）

準(zhǔn)確度±1.5%
線性±0.5～1.5%
重復(fù)精度±0.2%
響應(yīng)時(shí)間氣特性：1～4 Sec，電特性：10 Sec
工作壓差范圍0.1～0.5 MPa
最大壓力3MPa
接口Φ6,1/4”
顯示4位數(shù)字顯示
工作環(huán)境溫度5~45高純氣體
壓力真空表－0.1～0.15 MPa, 0.01 MPa/格
截止閥Φ6
內(nèi)外雙拋不銹鋼管Φ6
包含低真空系統(tǒng)

 

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